2015年4月16日凌晨两点，伏羲实验室的刻蚀机调试车间依然灯火通明。李工戴着放大镜，正趴在设备控制台前，逐行核对机械臂的运动参数。屏幕上跳动的蓝色光标映在他布满血丝的眼睛里，旁边的保温杯里，半杯枸杞茶早已凉透。“李工，第12组参数调试完成，机械臂定位误差0.002微米，还是没达到0.001微米的目标。”年轻工程师小陈的声音带着浓浓的疲惫，他手里的笔记本上，已经记满了密密麻麻的测试数据。
14纳米刻蚀机的核心指标之一，就是机械臂的定位精度——0.001微米的误差要求，相当于一根头发直径的万分之一。自从2月中旬原型机组装完成后，这个指标就成了横在团队面前的“拦路虎”。两个多月来，团队成员平均每天只睡4个小时，调试方案改了37版，定位精度却始终在0.002微米徘徊。“再试一次，把机械臂的运动轨迹从线性插值改成贝塞尔曲线，或许能减少启停时的惯性误差。”李工揉了揉发胀的太阳穴，手指在键盘上快速敲击，修改着控制程序。
这样的深夜攻坚，在伏羲实验室已是常态。穿过刻蚀机车间的走廊，光刻机研发团队的陈研究员正带领团队进行14纳米工艺的预研测试。光刻胶涂布机的喷头在晶圆表面缓缓划过，形成一层均匀的薄膜，随后晶圆被送入曝光机。“曝光能量120mJ\/cm2，焦距350nm，开始曝光！”操作员小李按下启动键，屏幕上实时显示着光刻图案的成像效果。当图案刷新出来时，所有人都屏住了呼吸——晶圆中心的图案清晰完整，但边缘区域出现了轻微的模糊，线宽误差超过了0.005微米。
“还是边缘光学畸变的问题。”陈研究员叹了口气，拿起晶圆放在显微镜下观察，“物镜系统的像差补偿算法，在大视场范围内还是不够精准。”他转身看向身后的光学工程师小张，“小张，你带两个人，把过去一周的像差数据整理出来，用神经网络重新训练补偿模型，天亮前必须出第一版测试结果。”小张用力点头，从抽屉里摸出一包速溶咖啡，撕开后直接倒进嘴里：“放心吧陈老师，保证完成任务！”
实验室的休息区里，散落着几个蜷缩的身影。刚从调试现场下来的机械工程师老王，靠着沙发就睡着了，手里还攥着轴承的设计图纸；负责EUV光源研发的王教授，趴在桌子上写着实验方案，笔尖的墨水在纸上晕开了一小片；几个年轻的学生趴在电脑前，屏幕上是正在运行的仿真程序，键盘旁的外卖盒早已空了，只剩下几滴油渍。墙上的时钟指向凌晨四点，窗外的天色泛起了鱼肚白，而车间里的机器轰鸣声、键盘敲击声，却丝毫没有减弱。
林渊的办公室灯也亮着。他面前的桌子上，摊着各团队的进度报表和技术难题清单，旁边放着一杯早已冷却的咖啡。自从实验室进入14纳米攻坚阶段，他每天只睡5个小时，凌晨必到各车间巡查一遍。当他走进刻蚀机车间时，看到李工正蹲在机械臂下方，用手电筒照射着导轨的连接处。“李工，休息会儿吧，身体扛不住。”林渊递过一瓶热牛奶，“我看了你们的调试记录，贝塞尔曲线的思路是对的，但或许可以在导轨上加一层纳米级的润滑涂层，减少摩擦误差。”
李工眼睛一亮，立刻站起身：“对啊！我怎么没想到这个！之前光顾着优化程序，忽略了机械结构的摩擦影响。”他当即联系实验室的材料团队，要求紧急制备一种聚四氟乙烯纳米涂层。两个小时后，涂层样品送到了车间，团队成员连夜对导轨进行涂层处理。当重新启动机械臂进行测试时，屏幕上的定位误差数值跳动着下降，最终稳定在0.0009微米——达标了！“成了！我们成功了！”小陈激动地跳了起来，抱住身边的同事，眼泪忍不住流了下来。李工则瘫坐在椅子上，长长地舒了一口气，手里的热牛奶终于有机会喝上一口。
刻蚀机的突破并没有让林渊放松警惕，因为EUV光源的研发正陷入更大的困境。当天上午，林渊来到EUV研发车间，看到王教授正对着实验数据发愁。“林总，极紫外光的输出功率始终上不去，目前只有10w，远达不到量产所需的50w。”王教授指着光谱分析仪上的曲线，“我们尝试了增大激光泵浦能量，但每次功率超过12w，靶材就会出现烧蚀现象，导致光源不稳定。”
EUV光刻机的核心就是极紫外光源，其技术难度堪称“人类工业皇冠上的明珠”——需要将锡靶材加热到10万摄氏度，使其电离成等离子体，再通过激光激发产生13.5纳米的极紫外光。全球只有米国cymer公司掌握成熟技术，而他们对龙国实行严格的技术封锁。“我们不能照搬cymer的靶材加热方式，或许可以采用‘双脉冲激光’方案。”林渊提出了自己的想法，“第一束激光先将锡靶材预热到5万摄氏度，第二束激光再集中能量激发，这样既能提高等离子体的转化率，又能避免靶材烧蚀。”
这个思路让王教授豁然开朗。团队立刻调整实验方案，重新设计激光光路系统。为了赶进度，他们将团队分成两组，一组负责光路调试，一组负责靶材供应系统优化，24小时轮班作业。林渊则协调中科院物理研究所，紧急调运了一台高功率脉冲激光器，同时安排华维的AI团队，通过仿真模拟优化激光的脉冲宽度和能量配比。“EUV是我们打破国际垄断的关键，就算砸锅卖铁，也要啃下这块硬骨头！”林渊在攻坚动员会上坚定地说。
时间一天天过去，实验室的灯光成了江城夜色中最亮的风景。5月中旬的一个深夜，光刻胶研发团队的李教授突然晕倒在实验台前，被紧急送往医院。检查结果显示，是长期过度劳累导致的低血糖和神经衰弱。林渊得知后，立刻赶到医院，安排了最好的病房和护理人员，同时强制要求李教授团队的成员轮流休息，每人每天的休息时间不得少于6小时。“科研重要，但大家的身体更重要。”林渊在病房里对前来探望的团队成员说，“我们要打持久战，不是攻坚战，必须保证每个人都能健康地坚持下去。”
李教授住院期间，团队的研发并未停滞。林渊协调海市交通大学的王教授临时接管团队，两个团队无缝衔接，继续推进光刻胶的性能优化。5月20日，团队成功研发出“高分辨率负性光刻胶”，在14纳米工艺的测试中，分辨率达到0.03微米，抗刻蚀性比之前提升了25%。当这个消息传到医院时，李教授激动地从病床上坐起来，非要立刻回到实验室，被林渊强行按住：“等你康复了，有的是庆功宴让你参加，现在必须好好休息！”
国际巨头的专利围剿也在这个时候悄然袭来。5月下旬，ASmL联合应用材料、泛林半导体等企业，向龙国知识产权局和国际专利组织提起诉讼，指控伏羲实验室的“波长锁定技术”“复合抛光工艺”等10项核心技术侵犯了他们的专利权，要求停止使用相关技术，并赔偿10亿美元的经济损失。消息传来，资本市场一片哗然，渊渟资本的股价当天下跌了12%。
董事会紧急召开会议，刘建国等股东忧心忡忡：“ASmL的专利布局很完善，这场官司我们很难赢，要是被判侵权，我们的设备量产就要全面停滞了！”林渊却异常冷静：“他们这是想用专利战拖垮我们，我们不能被动应诉。”他早已安排海因茨博士牵头成立了专利应对团队，对所有核心技术进行了专利规避设计。“我们的‘波长锁定技术’采用了新的电路拓扑结构，与ASmL的专利权利要求书有本质区别；‘复合抛光工艺’的抛光剂配方和工艺参数都是自主研发的，不存在侵权问题。”
林渊当即决定，一方面组织专利团队积极应诉，向专利局提交详细的技术比对报告和自主研发证明材料；另一方面，主动发起反击，针对ASmL的3项核心专利，向国际专利组织提出无效宣告请求，理由是“这些专利在申请前已在学术期刊上公开，不具备新颖性”。同时，他联系国内的半导体企业，联合成立了“专利防御联盟”，共享专利资源，共同应对国际巨头的专利围剿。“专利战也是一场攻坚战，我们不仅要防守，更要主动出击！”林渊在专利应对会议上强调。
专利战的压力并没有影响研发的进度。6月上旬，14纳米刻蚀机完成了全部调试工作，进入了量产工艺验证阶段。在连续72小时的全流程测试中，刻蚀机加工了500片晶圆，刻蚀线宽精度稳定在0.07微米，良率达到97.3%，不仅超过了泛林半导体同类型设备的95%，还实现了每小时30片的加工效率，比进口设备提升了25%。当测试报告出来时，李工和团队成员相拥而泣，两个多月的不眠之夜，终于换来了硕果。
EUV光源的研发也迎来了突破。6月15日凌晨，王教授团队采用“双脉冲激光”方案进行测试，当第一束预热激光击中锡靶材时，靶材瞬间汽化形成等离子体，第二束激光紧接着激发，光谱分析仪上立刻显示出13.5纳米的极紫外光峰值，输出功率达到了52w，稳定运行时间超过了100秒。“成功了！我们造出了国产极紫外光源！”王教授激动地挥舞着拳头，研发人员们欢呼雀跃，有的甚至当场流下了眼泪。林渊接到消息后，立刻赶到车间，看着屏幕上稳定的功率曲线，紧紧握住王教授的手：“辛苦了！你们为龙国半导体产业立了大功！”
然而，喜悦并没有持续太久。6月20日，EUV光源在进行连续24小时稳定性测试时，突然出现了功率骤降的问题——运行到12小时后，功率从52w快速下降到15w，等离子体的发光强度也明显减弱。王教授带着团队排查了三天三夜，终于发现是激光聚焦镜的表面出现了微小的烧蚀痕迹，导致激光能量无法有效聚焦到靶材上。“聚焦镜的材质是石英玻璃，在极紫外光的照射下，表面会逐渐形成氧化层，影响透光率。”王教授眉头紧锁，“我们需要一种更耐高温、抗腐蚀的材料来制作聚焦镜。”
林渊立刻联系了龙国科学院海市硅酸盐研究所，该所在特种陶瓷材料领域有深厚的积累。研究所的张院士带着团队当天就赶到实验室，经过技术研讨，提出了采用“蓝宝石单晶+类金刚石涂层”的方案：蓝宝石单晶具有耐高温、抗腐蚀的特性，类金刚石涂层则能提高表面硬度和透光率。双方团队联合开展材料制备和涂层工艺研发，林渊投入2亿元用于专用设备的采购和实验费用。
又是一个不眠之夜。7月5日凌晨，第一片蓝宝石聚焦镜样品制作完成，经过涂层处理后，立刻安装到EUV光源设备上进行测试。当激光再次击中靶材时，极紫外光的输出功率稳定在55w，连续运行24小时后，功率仅下降了3%，聚焦镜表面没有出现任何烧蚀痕迹。“达标了！完全达标了！”王教授激动地抱住张院士，两个团队的研发人员们互相击掌，车间里响起了经久不息的掌声。
连续的技术突破让研发人员们疲惫不堪，但每个人的脸上都洋溢着坚定的笑容。7月中旬的一天，林渊在巡查时发现，刻蚀机团队的小陈趴在控制台前睡着了，手里还握着一张照片——照片上是他刚满月的女儿。林渊轻轻拿起毯子，盖在小陈身上，旁边的李工低声说：“小陈已经一个月没回家了，上次他爱人带着女儿来探望，他只在车间门口匆匆见了一面，就赶回了调试现场。”林渊的心里一阵酸楚，他当即决定，安排所有研发人员轮休三天，同时组织家属开放日，让家人们走进实验室，看看亲人奋斗的地方。
家属开放日当天，实验室里充满了欢声笑语。小陈的爱人抱着女儿，看着屏幕上显示的刻蚀机参数，骄傲地对女儿说：“你爸爸就是造这个‘大国重器’的英雄！”李工的妻子给丈夫擦去额头的汗珠，递上亲手做的红烧肉：“以后别太累了，家里有我呢。”林渊看着这温馨的一幕，心中充满了感动：“我们的研发人员不仅是技术专家，更是家庭的顶梁柱。实验室不仅要成为研发高地，更要成为大家的温暖港湾。”他当场宣布，设立“家庭关爱基金”，为研发人员的家属提供医疗、教育等方面的资助，解除大家的后顾之忧。
轮休结束后，研发团队以更饱满的热情投入到工作中。7月底，14纳米光刻机的预研取得重大进展——陈研究员团队研发的“大视场像差补偿算法”通过了测试，晶圆边缘的光刻精度达到了0.035微米，良率稳定在94%。这意味着，龙国已经掌握了14纳米光刻机的核心技术，距离原型机下线只有一步之遥。
8月1日，伏羲实验室召开了阶段性成果发布会，向外界公布了14纳米刻蚀机量产工艺验证通过、EUV光源核心技术突破等重大成果。发布会上，林渊展示了相关的测试数据和设备原型，当屏幕上显示“14纳米刻蚀机良率97.3%”“EUV光源功率55w”等数据时，现场的媒体记者和行业专家们爆发出了热烈的掌声。《科技日报》的记者在报道中写道：“伏羲实验室的研发人员们，用无数个不眠之夜，攻克了一个又一个技术难关，为龙国半导体产业的自主化之路，铺就了坚实的基石。”
发布会结束后，林渊独自一人来到实验室的屋顶。夏夜的凉风吹拂着他的脸颊，远处的江城灯火璀璨。他打开系统界面，查看最新进度：“‘珠峰计划’第四阶段进度80%（14纳米刻蚀机完成量产工艺验证，EUV光源核心技术突破，14纳米光刻机预研达标），主线任务‘挑战硬科技之巅’进度85%，解锁新支线任务：‘设备国产化认证’，目标：完成14纳米设备的国产化认证，获得下游晶圆厂的批量采购订单，奖励：‘全球供应链整合包’，可快速对接国际优质配套资源。”
系统还弹出了国际市场的最新动态：“ASmL的EUV光刻机量产遇到瓶颈，核心部件供应短缺导致交付延迟；台积电的14纳米生产线因设备故障，良率出现下滑。全球半导体设备市场的缺口，为龙国国产设备提供了绝佳的市场机会。”林渊知道，接下来的关键，就是尽快完成14纳米光刻机原型机的下线和测试，用实际产品抢占市场份额。
当他走下屋顶，回到研发车间时，看到陈研究员正带领团队进行14纳米光刻机原型机的最后组装，李工团队则在调试刻蚀机与光刻机的协同作业系统，王教授团队在优化EUV光源的稳定性。车间里的每一个人，脸上都写满了专注和期待。林渊知道，再过不久，第一台国产14纳米光刻机就将正式下线，而这无数个不眠之夜的坚守，终将铸就龙国“芯”的辉煌。